R A M:
Hauptspeicher ist sehr wichtig fürs OCing, da speziell bei P-II/III und ganz
speziell bei CuMines oft der RAM und dessen Qualität über ein erfolgreiches
Overclocking oder ein Debakel entscheiden! Generell ist der schnellste RAM immer
der Beste, jedoch sollte man achtgeben: Für Celeron und Celeron-II Prozessoren
genügt oft PC-100, da man selbst bei den Celeron-II CPU's wohl nicht weit über
den 100MHz-FSB hinauskommt. Für CuMines gelten da schon andere Gesetze, hier
ist enorm guter pc100 oder pc133 hoher Qualität vonnöten, ideal ist HSDRAM.
Mein eigener 128MB ECC pc100 Chip läuft auf 156MHz stabil, allerdings handelt
es sich auch um ein Modul mit 7ns Siemens-Chips. Auch der jetzige HSDRAM (Hyper
Speed DRAM) stammt von Siemens, Links zu den Herstellern in der [LINKS]
- Sektion.
Folgenden RAM gibt es zur Zeit auf DIMM (bzw. RIMM bei RDRAM) (DDR erst als Prototypen):
| PC66 SDRAM | Sehr schlecht geeignet, selbst für Celerons |
| PC100 SDRAM | Gut für Celerons, einige Spitzenchips erreichen Top-pc133 Performance |
| PC133 SDRAM | Gut zum Overclocking bis 150MHz geeignet |
| PC133 HSDRAM | Speziell um Taktraten von 160MHz und höher zu erreichen |
| PC200 DDR SDRAM | Zur Zeit nur für zukünftige AMD-Chipsätze in Planung |
| PC 266 DDR SDRAM | Zur Zeit nur für zukünftige AMD-Chipsätze in Planung |
| PC600 RDRAM | Nur für Intel i820 und i840 RIMM, gute Übertaktbarkeit |
| PC700 RDRAM | selbiges |
| PC800 RDRAM | selbiges |
Um solch hohe Taktraten zu erzielen muß oft die Latenzzeit erhöht werden. Die Latenzzeit mißt eine Pausenzeit zwischen Schreib/Lesefunktionen die in den RAM von Chipsatz ausgeführt werden. Wenn bei hohen Taktfrequenzen die Latenzzeit zu kurz ist könnte es sein daß eine Schreiboperation ansteht, der RAM aber noch nicht soweit ist, oft kommt es dann zum gefürchteten Blue Screen... Die Latenzen sind im BIOS einstellbar und sehen im optimalen (schnellsten) Fall etwa so aus:
| CAS Latency | 2 |
| RAS to CAS Delay | 2 |
| RAS Precharge | 2 |
| DRAM LEADOFF | 3 |
Man sollte diese Einstellung schrittweise hochsetzen, zuerst CAS auf 3, dann RAS-2-CAS auf 3, RAS auf 3 und LEADOFF auf 4 um zu ermitteln welche Einstellung nun wirklich stabil ist.
Hier eine schematische Darstellung der Column Access Strobe (CAS), Read Access Strobe (RAS) und den Latenztimern, einfach den Thumbnail klicken, wie üblich: (CL2 bedeutet in dieser Darstellung CAS2 Latenz)
(ripped from [HardOCP])
RDRAM weist sehr hohe Latenzen auf, die erst im Betrieb von 2 Modulen auf einem i840 zumindest halbiert werden können. Hier handelt es sich aber auf jeden Fall um Latenzen im zweistelligen Bereich, der hohe Takt (400MHz bei pc800, 800MHz effektiv durch DDR) kompensiert diesen Nachteil. RDRAM von RAMBUS ist allerdings zur Zeit mit einem 10-fachen Preis von HSDRAM unbezahlbar.
Noch etwas zur Stabilität von RAM: Da RAM im einfachsten Sinne einfach nur
ein Kondensator ist, fügt man dem System Kapazität hinzu wenn man einen
weiteren Chip einbaut, das jedoch erhöht die Schaltzeit zwischen 0 und 3.3V
nach der Formel i
= C dv/dt ,i ist die Stromstärke und C die Kapazität.
Sobald man nun die Kapazität erhöht steigt auch die Rate der Signalschaltung dv/dt
,das wirkt sich negativ auf die Geschwindigkeit und damit auf die
Stabilität aus, höhere Latenzzeiten werden nötig oder man muß die
Taktfrequenz vermindern, beides ist nicht sehr angenehm. Fazit: Immer nur ein
Modul verwenden, und dieses möglichst in DIMM1 stecken. Wenn das Schalten von 0
auf 3.3V (Binär gesehen von 0 auf 1) zu lange dauert wirkt es sich wie eine zu
kurze Latenzzeit aus: Blue Screen!
[Links zu Herstellern / Vertreibern von Hochleistungs-RAM]
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